盆式绝缘子作为组合电器的关键绝缘构件，其内部缺陷引发局部电场畸变，最终诱发放电击穿，严重影响组合电器的可靠运行 。文中采用工业用计算机断层成像（industrial computerized tomography，工业 CT）检测 500 kV中心嵌件带屏蔽环的盆式绝缘子内部缺陷分布，检测发现在屏蔽环、螺栓附近以及环氧树脂和中心嵌件界面均存在多处缺陷；解体发现故障盆式绝缘子放电起始位置位于屏蔽环附近 。基于盆式绝缘子内部缺陷分布及放电起始位置，采用有限元仿真软件分析 4个位于屏蔽环附近气泡缺陷对盆式绝缘子内部电场的分布影响 。研究发现，当气泡位于屏蔽环拐角附近，电场强度达到畸变最大 。结果表明：该盆式绝缘子中心屏蔽环拐角为起始放电点，放电路径由中心嵌件屏蔽环根部至法兰处，贯穿盆式绝缘子内层，形成电弧放电击穿通道。
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